диффузионная длина носителей заряда

См. также в других словарях:

• диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника — диффузионная длина Расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в е раз. [ГОСТ… …   Справочник технического переводчика

• диффузионная длина — диффузионная длина; отрасл. рекомбинационная длина Расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается… …   Политехнический терминологический толковый словарь

• Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника — 33. Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника Диффузионная длина Расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• рекомбинационная длина — диффузионная длина; отрасл. рекомбинационная длина Расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается… …   Политехнический терминологический толковый словарь

• РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ — явления в тв. телах, наблюдающиеся в условиях, когда размеры исследуемого образца сравнимы с одной из характерных длин длиной свободного пробега l носителей заряда, длиной волны де Бройля l, диффузионной длиной и т. п. Различают классич. и квант …   Физическая энциклопедия

• ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… …   Физическая энциклопедия

• СВЕТОДИОД — (светоизлучающий диод), полупроводниковый прибор, преобразующий электрич. энергию в энергию оптич. излучения на основе явления инжекционной электролюминесценции, происходящей в ПП кристалле с электронно дырочным переходом или гетеропереходом либо …   Физическая энциклопедия

• ФОТОМАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ — (фотоэлектромагнитный эффект, Кикоина Носкова эффект) возникновение электрич. поля в полупроводнике, помещённом в магн. поле, при освещении его сильно поглощаемым светом. Если на полупроводник падает свет, частота к рого со соответствует собств.… …   Физическая энциклопедия

• ДИФФУЗИЯ — (от лат. diflusio распространение, растекание, рассеивание), перенос частиц разной природы, обусловленный хаотич. тепловым движением молекул (атомов) в одно или многокомпонентных газовых либо конденсир. средах. Такой перенос осуществляется при… …   Химическая энциклопедия

• p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… …   Физическая энциклопедия